ГОСТ 25529-82

37. Оплавление покрытия

D.    Abschmelzen des Oberzugs

E.    Coating partial melting

F.    Ficrion particlle de revetement

Нагрев покрытия до температуры, превышающей температуру его плавления

Источник: ГОСТ 9.008-73: ЕСЗКС. Покрытия металлические и неметаллические неорганические. Термины и определения оригинал документа

граничная частота
частота среза
-
[IEV number 151-13-54]

EN

cut-off frequency
lower or upper limiting frequency of a pass-band or stop-band
[IEV number 151-13-54]

FR

fréquence de coupure, f
fréquence limite inférieure ou supérieure d'une bande passante ou d'une bande affaiblie
[IEV number 151-13-54]

Синонимы

• частота среза

EN

• cut-off frequency

DE

• Grenzfrequenz

FR

• fréquence de coupure

предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f₀
f_g
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• cut-off frequency

DE

• Grenzfrequenz

FR

• fréquence de coupure

предельная частота варикапа
f_пред.в
f_со
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• варикапы

EN

• cut-off frequency

DE

• Güterfrequenz der Kapazitätsdiode

FR

• fréquence de coupure

предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
Обозначение
f_h21
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• cut-off frequency

DE

• Grenzfrequenz der Stromverstärkung

FR

• fréquence de coupure

частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (f_c)
Частота полосы пропускания или задерживания, на которой относительное затухание пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра достигает заданного значения.
[ ГОСТ 18670-84]

Тематики

• электрические фильтры

EN

• cut-off frequency

FR

• fréquence de coupure

78. Предельная частота варикапа

D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode

E. Cut-off frequency

F. Fréquence de coupure

f_пред.в

Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

94. Предельная частота ФЭПП

D. Grenzfrequenz

E. Cut-off frequency

F. Fréquence de coupure

f₀

Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
K_ш
F
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• noise figure

DE

• Rauschzahl

FR

• facteur de bruit

коэффициент шума полевого транзистора
коэффициент шума
Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
K_ш
F
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• коэффициент шума

EN

• noise figure

DE

• Rauschfaktor

FR

• facteur de bruit

шумовая постоянная туннельного диода
N_Ш
N_n
Величина, определяемая соотношением:
N_{Ш =} 20lg I_р/g_пер,
где I_р - ток в рабочей точке туннельного диода,
g_пер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• noise factor

DE

• Rauschfaktor der Tunneldiode

FR

• facteur de bruit

74. Шумовая постоянная туннельного диода

D. Rauschfaktor der Tunneldiode

E. Noise factor

F. Facteur de bruit

N_ш

Величина, определяемая соотношением:

где I_р - ток в рабочей точке туннельного диода,

g_пер - отрицательная проводимость туннельного диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

32. Коэффициент шума биполярного транзистора

D. Rauschzahl

E. Noise figure

F. Facteur de bruit

K_ш

Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
t_вос, _обр, t_rr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]

Недопустимые, нерекомендуемые

• время восстановления обратного сопротивления

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• reverse recovery time

DE

• Sperrerholungszeit der Diode

FR

• temps de recouvrement inverse

время обратного восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Обозначение
t_{вос, обр}
t_rr
Примечания
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• reverse recovery time

FR

• temps de recouvrement inverse

33. Время обратного восстановления диода

Ндп. Время восстановления обратного сопротивления

D. Sperrerholungszeit der Diode

E. Reverse recovery time

F. Temps de recouvrement inverse

t_{вос,обр}

Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

114. Время обратного восстановления тиристора

E. Reverse recovery time

F. Temps de recouvrement inverse

t_{вос,обр}

Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.

Примечания:

1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.

2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время прямого восстановления диода
Ндп. время восстановления прямого сопротивления
t_вос._пр, t_fr
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения.
[ ГОСТ 25529-82]

Недопустимые, нерекомендуемые

• время восстановления прямого сопротивления

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• forward recovery time

DE

• Durchlasserholungszeit der Diode

FR

• temps de recouvrement direct

время прямого восстановления тиристора
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Обозначение
t_{вос, пр}
t_dr
Примечание
Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• forward recovery time

FR

• temps de recouvrement direct

34. Время прямого восстановления диода

Ндп. Время восстановления прямого сопротивления

D. Durchlasserholungszeit der Diode

E. Forward recovery time

F. Temps de recouvrement direct

t_вос.пр

Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

117. Время прямого восстановления тиристора

E. Forward recovery time

F. Temps de recouvrement direct

t_вос,пр

Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.

Примечание. Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
U_{обр.и.нп}, U_RSM
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• non-repetitive (surge) reverse voltage

DE

• nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de pointe non-répétitive

неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору.
Обозначение
U_обр,нп
U_RSM
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• non-repetitive peak reverse voltage

FR

• tension inverse de pointe non-répétitive

37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Non-repetitive (surge) reverse voltage

F. Tension inverse de pointe non-répétitive

U_{обр.и.нп}

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

21. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора

E. Non-repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe non-répétitive

U_обр,нп

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения, прикладываемого к тиристору.

Примечание. См. примечание к термину 6

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
U_обр.и.п, U_RRM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание
Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• repetitive peak reverse voltage

DE

• periodische Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de pointe répétitive

повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.
Обозначение
U_обр,м
U_RRM
Примечание
Повторяющееся напряжение определяется схемой и параметрами тиристора.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• repetitive peak reverse voltage

FR

• tension inverse de pointe répétitive

36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe répétitive

U_обр.и.п

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

22. Повторяющееся импульсное обратное напряжение тиристора

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe répétitive

U_обр,и

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. См. примечание к термину 7

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

тепловое сопротивление диода
, R_th
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• thermal resistance

DE

• Wärmewideistand

FR

• résistance thermique

тепловое сопротивление тиристора
Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.
Обозначение
R_T
R_th
Примечания
1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.
2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• thermal resistance

FR

• résistance thermique

21. Тепловое сопротивление диода

D. Wärmewiderstand

E. Thermal resistance

F. Résistance thermique

R_Θ

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

126. Тепловое сопротивление тиристора

E. Thermal resistance

F. Résistance thermique

R_T

Отношение разности между температурой перехода и температурой в заданной внешней контрольной точке к мощности, рассеиваемой в тиристоре в установившемся режиме.

Примечания:

1. Тепловое сопротивление приводится в К/Вт или °С/Вт.

2. Считается, что весь тепловой поток, возникающий из-за рассеиваемой мощности, протекает через участок, определяющий это тепловое сопротивление

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
δ_Uст
δ_UZ
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• стабилитроны

EN

• working voltage long-term instability

DE

• zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode

FR

• instabilité à long terme de la tension de régulation

87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона

D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage long-term instability

F. Instabilité à long terme de la tension de régulation

δ_Uст

Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

выходное шумовое отношение СВЧ диода
N_m
N_r
Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• сверхвысокочастотные диоды

EN

• output noise ratio

FR

• rapport de température de bruit

132. Выходное шумовое отношение СВЧ диода

E. Output noise ratio

F. Rapport de température de bruit

N_m

Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

динамическое сопротивление выпрямительного диода
r_дин
r_T
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• slope resistance

DE

• dynamischer Widerstand der Diode

FR

• résistance apparente directe

61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода

D. Dynamischer Widerstand der Diode

E. Slope resistance

F. Résistance apparente directe

r_дин

Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

дифференциальное сопротивление диода
r_диф, r
Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• differential resistance

DE

• differentieller Widerstand der Diode

FR

• résistance différentielle

19. Дифференциальное сопротивление диода

D. Differentieller Widerstand der Diode

E. Differential resistance

F. Résistance différentielle

r_диф

Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

дифференциальное сопротивление стабилитрона
r_ст
r_z
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• стабилитроны

EN

• differential resistance within the working voltage range

DE

• Z-Widerstand der Z-Diode

FR

• résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation

84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона

D. Z-Widerstand der Z-Diode

E. Differential resistance within the working voltage range

F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation

r_ст

Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

заряд восстановления диода
Ндп. заряд переключения
Q_вос, Q_r
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
[ ГОСТ 25529-82]

Недопустимые, нерекомендуемые

• заряд переключения

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• recovered charge

DE

• Sperrerholladung der Diode

FR

• charge recouvrée

32. Заряд восстановления диода

Ндп. Заряд переключения

D. Sperrerholladung der Diode

E. Recovered charge

F. Charge recouvrée

Q_вос

Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.

Примечания:

1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.

2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении
Р_{вос.обр,и}
P_RQM
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• peak turn-off dissipation

FR

• dissipation de pointe à la coupure du courant

52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Peak turn-off dissipation

F. Dissipation de pointe à la coupure du courant

P_{вос.обр, и}

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное обратное напряжение диода
U_обр.и, U_RM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak reverse voltage

DE

• Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de crête

4. Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de crête

U_обр.и

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсное прямое напряжение диода
U_пр.и, U_FM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak forward voltage

DE

• Spitzendurchlassspannung der Diode

FR

• tension directe de crête

2. Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de crête

U_пр.и

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсный обратный ток диода
I_обр._и, I_RM
Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak reverse current

DE

• Spitzensperrstrom der Diode

FR

• courant inverse de crête

11. Импульсный обратный ток диода

D. Spitzensperrstrom der Diode

E. Peak reverse current

F. Courant inverse de crête

I_обр.и

Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

импульсный прямой ток диода
I_пр.и
I_FM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak forward current

DE

• Spitzendurchlassstrom der Diode

FR

• courant direct de crête

8. Импульсный прямой ток диода

D. Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Peak forward current

F. Courant direct de crête

I_пр.и

Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

индуктивность диода
L_п, L_s
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• total series equivalent inductance

DE

• Induktivität der Diode

FR

• inductance série totale équivalente

29. Индуктивность диода

D. Induktvität der Diode

E. Total series equivalent inductance

F. Inductance série totale équivalente

L_п

Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа